其不像 DRAM，3D X point 不需要電晶體就可以執行讀寫，結構上近似現在較先進的 3D NAND 技術皆為 3D 架構，但不像 NAND 以電荷將資訊儲存於元件，而是儲存在架構中字組線（word line）與位元線（bit line）的交叉點上，系統因此得以單獨存取每個儲存單元，當系統能以小單位讀取與寫入資料，讀寫程序將變得更快，目前官方給的訊息，記憶體儲存單元配置共 1,280 億個，且為可堆疊，目前初步技術堆疊至兩層、每個晶粒能儲存 128Gb，未來將持續發展更高層的堆疊技術增加儲存容量。
英特爾聲稱，3D X point 的密度比 DRAM 高出 10 倍，速度與耐用度比 NAND 高出 1,000 倍。先前三星推出 8Gb DDR4 DRAM，新技術的發表讓美光也放話，未來將可提供容量高達 2TB、密度比 DRAM 高 125 倍的 DRAM 晶片。
3D X point 基本上大幅降低了處理器與資料之間的延遲，預估未來也將有更多嶄新的運用，拓展出機器學習、即時追蹤疾病以及超擬真 8K 遊戲等發展。
英特爾表示，3D X point 將於 2015 年稍晚送樣給特定客戶，而英特爾與美光目前已開始著手開發包含 3D X point 技術的相關產品。記憶體儲存相關調研機構 DRAMeXchange 預估，初期 3D X point 該將先出現於高階的伺服器與商業應用端。
